ASML：现有技术能实现1nm加工

IT之家 5 月底 17 日传闻，为了特别强调光在推进科学进步反复里面的重要起到，联合国环境署将每年的 5 月底 16 日定为“国际光日”。5 月底 13 日，ASML 在一篇公众号文章里面并称，既有技术能付诸 1nm 传统工艺，安德森方程可此后颁布十年甚至越来越长时长。

ASML 并称，在半导体领域，安德森方程 —— 这一诞生于 1965 年的先导推论，就起着如同光一样的剧中，指引ROM工业用的而会国际化与突破。在过往的 50 多年里，安德森方程不断转变。安德森关于以大于成本工业用精细ROM的在此之前预测，也在转变反复里面被转述成各种各样的表述，过去这个方程最常被表述为半导体ROM坐席的二极体使用量呈以此类推增加。1975 年，安德森修正了自己的预测：二极体使用量翻倍的时长从在此之前的一年上升到两年。

IT之家察觉到，安德森视为，降低ROM面积、增加元件尺寸以及优化器件电路设计是付诸二极体使用量翻倍的三个重要因素。

ASML 并称，在过往的 15 年里，很多国际化方法使安德森方程依然颁布且方式在。从整个从业者的发展分段来看，它们将在未来十年甚至越来越长时长内让安德森方程此后保持这种势头。在元件特别，在此之前的技术国际化充分将ROM的制程推进至据估计 1 纳米键值，其里面包括 gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及 complementary FETs 等诸多先导技术。此外，压印系统分辨率的改良（预定每 6 年约莫增加 2 倍）和边缘放置标准差（EPE）对灵敏度的衡量也将进一步倡议ROM尺寸增加的付诸。

ASML 并称，只要我们还有想法，安德森方程就会此后颁布。

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